中文 ENG

晶圓

P87PP{QQY]QX)06A@C1IKK3.jpg

晶圓，是純硅（99.9999%）制成的一片片薄薄的圓形硅芯片。

因其形狀為圓形，故稱為晶圓。

立承德（NEXTECK）提供的晶圓分成半導(dǎo)體用硅晶圓材料和太陽能電池用硅晶圓材料兩種。

 

半導(dǎo)體用的硅芯片主要集中在4~6 inch，具體的規(guī)格如下：

Items 產(chǎn)品General Specification of Semiconductor Wafer
4 inch5 inch6 inch
Resistivity(Ω/cm) 電阻率P-Type doped: Boron, 0.001-0.01, 0.01-0.5, >0.5 P++, P+, P-
N-Type doped: As, Phos, Sb, 0.001-1, 1-150
Diameter tolerance(mm) 直徑公差±0.2±0.2±0.2
Orientation 晶向(100), (111)(100), (110), (111)(100), (110), (111)
Orientation tolerance            晶向公差±0.15°±0.15°±0.15°
Edge ProfileT/RT/RT/R
Edge Condition邊緣條件11/22 Ground11/22 Ground11/22 Ground/Polished
Thickness(μm)厚度300-650400-650550-750
Thickness tolerance(μm)厚度公差±15±15±15
Backside TreatmentEtchPolySiO2EtchPolySiO2EtchPolySiO2
Bow(μm)翹曲度±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)±25±25(Before CVD)
Warp(μm)彎曲度≦25≦25(Before CVD)≦25≦25(Before CVD)≦25≦25(Before CVD)
Options 選項(xiàng)Laser marking, Poly-back, SiO2 seal, Back side damage



提供的太陽能級別的晶硅產(chǎn)品可分為單晶硅和多晶硅兩種，我們可根據(jù)客戶的需求有不同的規(guī)格。一般的規(guī)格如下：


單晶硅晶圓規(guī)格多晶硅晶圓規(guī)格
Category 類型156*156mm（Mono wafer單晶硅)156*156mm（Multi wafer多晶硅)
Growing methodCZ
Type 種類PP
Dopant摻雜物Boron硼Boron硼
Crystal Orientation晶向<100>+/-3 deg
Carbon content含碳量(atom/cm3)<5*1016<5*1017
Oxygen content含氧量(atom/cm3)<1.1*1018<1*1018
Etch Pit Defects(/cm3)<=3000
Resistivity電阻率0.5～3/3～60.5～3
Minority Carrier Lifetime少數(shù)載子生命周期(microsecond 微秒(μs) )>10>=2
Dimension(mm)體積156+/-0.5156+/-0.5
Thickness(μm)厚度200+/-20200+/-20
TTV 平整度(μm)<=30<=30
Bow/Warp 翹曲度/彎曲度(μm) <100<50 / <100
Surface Saw Damage Depth表面粗糙度(μm)<=15<=20
Edge(Chip)邊緣（芯片）Depth≤0.5mmDepth≤0.5mm
Vertical≤1.0mmVertical≤3.0mm
Defect≤2Defect≤2

 


立承德（ NEXTECK ）的各項(xiàng)產(chǎn)品都獲得長年的實(shí)積和信賴。用于半導(dǎo)體及電子零件的各種牌號非常齊全，對應(yīng)各式各樣的成形方法，具有良好的成形性與尺寸精確度。